GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 2:Rectifier diodes--Section One:Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes),ambient and case-rated,up to 100A

GB/T 6351-1998

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  • 标准名称:半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
  • 标准号:GB/T 6351-1998
  • 发布日期:1998-11-17
  • 实施日期:1999-06-01
  • 中国标准号:L43
  • 国际标准号:31.080.10
  • 代替标准:代替GB 6351-1986
  • 技术归口:全国半导体器件标准化技术委员会
  • 主管部门:工业和信息化部(电子)
  • 标准分类:电子学半导体分立器件二极管

内容简介

国家标准《半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。

起草单位

电子工业部标准化研究所、

起草人

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