GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5: RF MEMS switches
GB/T 42709.5-2023
国家标准 推荐性标准GB/T 42709.5-2023标准状态
- 发布于:2023-05-23
- 实施于:2023-09-01
- 废止
内容简介
国家标准《半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关》由339-1(工业和信息化部(电子))归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的-般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。
起草单位
中国电子技术标准化研究院、北京大学、河北美泰电子科技有限公司、中国电子信息产业集团有限公司、北京必创科技股份有限公司、
起草人
刘若冰、 李博、 崔波、 翟晓飞、 张威、陈得民、
相近标准
20231774-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第40部分:MEMS惯性冲击开关阈值测试方法
20231777-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第21部分:MEMS薄膜材料泊松比测试方法
20231775-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分:MEMS 压电薄膜的环境及介电耐受试验方法
20231776-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第38部分:MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法
20231779-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第12部分:采用MEMS结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法
GB/T 42709.7-2023 半导体器件 微电子机械器件 第7部分:用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器
20231773-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第35部分:柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法
20231765-T-339 电子元器件 半导体器件长期贮存 第7部分:微电子机械器件
20204111-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第3部分:拉伸试验用薄膜标准试验片
20204116-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第2部分:薄膜材料拉伸试验方法
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。