T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
T/ZJATA 0017-2023
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- 发布于：2023-06-20
- 实施于：2023-07-20
- 废止
内容简介
本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100mm（4英寸）、150mm（6英寸）和200mm（8英寸）SiC晶片的碳化硅外延设备本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称“外延设备”）的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容，对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工（碳化硅外延片）质量指标给出了统一技术参数及评价方法
通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制，保证了设备的精准性、安全性
起草单位
浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心。
起草人
曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞。
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