SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
SJ/T 11552-2015
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标准SJ/T 11552-2015标准状态
- 发布于：2015-10-10
- 实施于：2016-04-01
- 废止
内容简介
行业标准《以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。本标准适用于测试室温下电阻率大于5Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×10at·cm至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司
起草人
李静、何秀坤、刘兵
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