SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 11493-2015

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  • 标准名称:硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
  • 标准号:SJ/T 11493-2015
  • 发布日期:2015-04-30
  • 实施日期:2015-10-01
  • 中国标准号:H82
  • 国际标准号:29.045
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 主管部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报,主管部门为工业和信息化部。本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度at·cm)的单晶样品,其中氮的浓度大于等于1×10at•cm。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司

起草人

马农农、何友琴、何秀坤

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