SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法

SJ/T 11497-2015

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  • 标准名称:砷化镓晶片热稳定性的试验方法
  • 标准号:SJ/T 11497-2015
  • 发布日期:2015-04-30
  • 实施日期:2015-10-01
  • 中国标准号:H83
  • 国际标准号:29.045
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 主管部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《砷化镓晶片热稳定性的试验方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报,主管部门为工业和信息化部。本标准规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在10Ω·cm~10Ω·cm范围半绝缘砷化镓单晶材料的热稳定性试验。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司

起草人

何秀坤、董彦辉、刘兵

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