SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
SJ/T 2658.15-2016
行业标准 推荐性
收藏
报错
标准SJ/T 2658.15-2016标准状态
- 发布于：2016-01-15
- 实施于：2016-06-01
- 废止
内容简介
行业标准《半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)热阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
起草单位
工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草人
张戈、赵英
相近标准
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。