SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
SJ/T 11586-2016
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标准SJ/T 11586-2016标准状态
- 发布于：2016-01-15
- 实施于：2016-06-01
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内容简介
行业标准《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。
起草单位
工业和信息化部电子第五研究所
起草人
罗宏伟、何玉娟、恩云飞
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