SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11490-2015
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标准SJ/T 11490-2015标准状态
- 发布于：2015-04-30
- 实施于：2015-10-01
- 废止
内容简介
行业标准《低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm的圆形GaAs晶片的EPD的测量。
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司
起草人
章安辉、何秀坤、刘兵
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