SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11489-2015

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  • 标准名称:低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
  • 标准号:SJ/T 11489-2015
  • 发布日期:2015-04-30
  • 实施日期:2015-10-01
  • 中国标准号:H80
  • 国际标准号:29.049
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 主管部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电气工程半导体材料SJ 电子电子

内容简介

行业标准《低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报,主管部门为工业和信息化部。本标准规定了低位错密度磷化铟(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm的圆形InP晶片的EPD的测量。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、苏州晶瑞化学有限公司等、工业和信息化部电子工业标准化研究院、

起草人

章安辉、何秀坤、刘兵、

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