标准详情
- 标准名称：椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
- 标准号：GB/T 31225-2014
- 发布日期：2014-09-30
- 实施日期：2015-04-15
- 中国标准号：J04
- 国际标准号：17.040.01
- 代替标准：
- 技术归口：全国纳米技术标准化技术委员会
- 主管部门：中国科学院
- 标准分类：计量学和测量、物理现象长度和角度测量综合长度和角度测量
GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
GB/T 31225-2014
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标准GB/T 31225-2014标准状态
- 发布于：2014-09-30
- 实施于：2015-04-15
- 废止
内容简介
国家标准《椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。
本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅层厚度的方法。本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。
起草单位
上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心、
起草人
金承钰、 李威、 何丹农、 张冰、 梁齐、路庆华、
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