GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
GB/T 43894.1-2024
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标准GB/T 43894.1-2024标准状态
- 发布于：2024-04-25
- 实施于：2024-11-01
- 废止
内容简介
国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
起草单位
山东有研半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、中环领先半导体材料有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司、
起草人
王玥、 朱晓彤、 徐新华、 徐国科、 陈海婷、 丁雄杰、 孙燕、宁永铎、李春阳、张海英、郭正江、
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