GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
GB/T 11073-2007
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标准GB/T 11073-2007标准状态
- 发布于：2007-09-11
- 实施于：2008-02-01
- 废止
内容简介
国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
起草单位
峨嵋山半导体材料厂、
起草人
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