GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference
GB/T 8758-2006
国家标准 推荐性
收藏
报错
标准GB/T 8758-2006标准状态
- 发布于:2006-07-18
- 实施于:2006-11-01
- 废止
内容简介
国家标准《砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)、全国有色金属标准化技术委员会联合归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准适用于砷化镓外延层厚度的测量,测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阴率小于0.02Ω?cm,外延层的电阴率大于0.1Ω?cm。
起草单位
北京有色金属研究总院、
起草人
王彤涵、
相近标准
YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
20231115-T-469 LED外延芯片用砷化镓衬底
* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。