GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

GB/T 1553-1997

国家标准 推荐性
收藏 报错

标准GB/T 1553-1997标准状态

  1. 发布于:
  2. 实施于:
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称:硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • 标准号:GB/T 1553-1997
  • 发布日期:1997-06-03
  • 实施日期:1997-12-01
  • 中国标准号:H21
  • 国际标准号:77.040.01
  • 代替标准:代替GB 1553-1979;GB 5257-1985被GB/T 1553-2009代替
  • 技术归口:全国半导体材料和设备标准化技术委员会
  • 主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:冶金金属材料试验金属材料试验综合

内容简介

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

起草单位

峨嵋半导体材料厂

起草人

相近标准

20063373-T-469 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
20210889-T-469 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
20151792-T-469 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
20081130-T-469 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。